昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:晶片與封裝基板的粘接，往往是兩種不同性質(zhì)的材料，材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特徵，其表面粘接性能較差，粘接過(guò)程中介面容易產(chǎn)生空隙，給密封封裝後的晶片帶來(lái)很大的隱患，對(duì)晶片與封裝基板的表面進(jìn)行等離子體處理能有效增加其表面活性，極大的改善粘接環(huán)氧樹(shù)脂在其表面的流動(dòng)性，提高晶片和封裝基板的粘結(jié)浸潤(rùn)性，減少晶片與基板的分層，改善熱傳導(dǎo)能力，提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性，增加產(chǎn)品的壽命。

昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:積體電路引線鍵合的品質(zhì)對(duì)微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無(wú)污染物並具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機(jī)殘?jiān)榷紩?huì)嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。傳統(tǒng)的濕法清洗對(duì)鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除，而採(cǎi)用等離子體清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾汙並使其表面活化，能明顯提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。

昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:在倒裝晶片封裝方面，對(duì)晶片以及封裝載板進(jìn)行等離子體處理，不但能得到超淨(jìng)化的焊接表面，同時(shí)還能大大提高焊接表面的活性，可以有效的防止虛焊，減少空洞，提高焊接的可靠性，同時(shí)可以提高填充料的邊緣高度和包容性，改善封裝的機(jī)械強(qiáng)度，降低因不同材料的熱膨脹係數(shù)而在介面間形成內(nèi)應(yīng)的剪切力，提高產(chǎn)品可靠性和壽命。

昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:微電子封裝領(lǐng)域採(cǎi)用引線框架的塑封形式，仍占到80%以上，其主要採(cǎi)用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架，銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝後密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時(shí)也會(huì)影響晶片的粘接和引線鍵合品質(zhì)，確保引線框架的超潔淨(jìng)是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵，經(jīng)等離子體處理可達(dá)到引線框架表面超淨(jìng)化和活化的效果，成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會(huì)極大的提高，並且免除了廢水排放，降低化學(xué)藥水採(cǎi)購(gòu)成本。